Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN86265P
MOSFET P-CH 150V 800MA SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN86265P
FDN86265P Hakkında
FDN86265P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1.2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp şartlarında çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, batarya koruma sistemleri ve analog anahtarlamada uygulanır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışır ve 1.5W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 800mA, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok