Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN8601
FDN8601 Hakkında
FDN8601, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paketle sunulan bu bileşen, düşük gate şarjı (5nC @ 10V) ve çalışma aralığında minimum RDS(on) değeri (109mOhm) ile karakterizedir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilen FDN8601, anahtar devreleri, PWM uygulamaları, güç yönetimi ve motor kontrolü gibi anahtarlamalı güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 1.5W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 210 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 109mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok