Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5632N-F085
N-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5632N
FDN5632N-F085 Hakkında
FDN5632N-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Logic Level MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V ve 10V sürüş geriliminde düşük on-state direnci (82mΩ) sunar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük gate charge (12nC) ile enerji yönetimi uygulamalarında, güç dönüşüm devrelerinde, LED sürücülerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 1.1W güç tüketimi ile verimli çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok