Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5632N-F085
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5632N
FDN5632N-F085 Hakkında
FDN5632N-F085, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 82mΩ on-resistance (Rds On) değerine sahiptir. SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan komponent, düşük güç uygulamalarında anahtarlama görevlerini gerçekleştirir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDN5632N, step-down regülatörleri, güç yönetimi devreleri ve genel amaçlı transistör uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde aktive edilebilen transistör, 12nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok