Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5630
FDN5630 Hakkında
FDN5630, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 1.7A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-resistance değeri (100mOhm @ 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. SuperSOT3 (SOT-23-3) paketinde sunulan FDN5630, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu transistör, -55°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık işletme aralığında güvenilir performans sağlar. Kompakt yapısı ve düşük gate yükü (10nC) ile hızlı anahtarlama işlemleri mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 1.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok