Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5618P_G
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5618P
FDN5618P_G Hakkında
FDN5618P_G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V dren-kaynak gerilimi ve 1.25A sürekli dren akımı kapasitesiyle kompakt SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 170mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, hassas sinyal işleme, güç yönetimi ve ses frekansı amplifikasyonu gibi alanlarda yer bulur. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Bileşen obso durumda olmakla birlikte, benzer uygulamalar için referans olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok