Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5618P-B8
FET -60V 1.7 MOHM SSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5618P
FDN5618P-B8 Hakkında
FDN5618P-B8, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. -60V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 1.7 MΩ direnç değerine sahiptir. 1.25A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount SSOT3 paketinde sunulan FDN5618P, gate-source gerilimi ±20V'ye kadar dayanır. 10V gate geriliminde 170mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamaları, ses amplifikatörleri ve güç yönetimi devrelerinde yer bulur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, kompakt tasarımlar ve gömülü sistemler için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 460mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok