Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN5618P
MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN5618P
FDN5618P Hakkında
FDN5618P, onsemi tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj desteği ve 1.25A maksimum drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 10V gate-source voltajda 170mΩ on-resistance ile düşük kayıp karakteristiğine sahiptir. 500mW güç tüketimi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Anahtarlama devreleri, dc-dc dönüştürücüler, batarya koruma şemaları ve yük kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. SOT-23-3 paketlemesi ile space-constrained tasarımlara uygun bir çözüm sunar. (Not: Bu ürün güncel katalogda Obsolete statüsündedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.25A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok