Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN371N

2.5A, 20V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL,

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN371N

FDN371N Hakkında

FDN371N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmış, düşük on-dirençi (50mOhm @ 4.5V) sayesinde verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (SuperSOT-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. ±12V maksimum gate gerilimi ve -55°C ~ 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel uygulamalar, güç yönetimi devreleri, düşük voltaj anahtarlaması ve mobil cihaz uygulamalarında tercih edilir. 500mW güç dağılımı kapasitesi ile sınırlı yer ve enerji verimliliğinin kritik olduğu uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 815 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok