Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN363N
FDN363N Hakkında
FDN363N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ve 1A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-236-3 / SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 240mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir ve 6V ile 10V arasında gate drive voltajında çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 500mW maksimum güç kaybı ile microcontroller uygulamaları, anahtarlama devreleri, düşük güçlü DC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT™-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok