Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN361BN
MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN361BN
FDN361BN Hakkında
FDN361BN, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate geriliminde 110mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 500mW güç dağıtım kapasitesi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde yer alır. Düşük gate charge (1.8nC) ve düşük input capacitance (193pF) özellikleri hızlı anahtarlama devrelerine uygundur. Lojik devreler, anahtarlama uygulamaları ve orta güç yönetimi sistemlerinde kullanım bulur. Not: Bu ürün üretim durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 193 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok