Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN361AN

MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN361AN

FDN361AN Hakkında

FDN361AN, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj derecesi ve 1.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. SUPERSOT3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu kompakt bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. 10V gate voltajında 100mOhm RDS(on) değeri ile verimliliği artırmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, portable cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve düşük voltaj anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (4nC @ 5V) hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok