Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN361AN

MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN361AN

FDN361AN Hakkında

FDN361AN, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük açık-devre direnci (Rds On) özellikleri sayesinde güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan FDN361AN, 4.5V ve 10V drive voltajlarında çalışabilir. -55°C ile 150°C arasında sıcaklık aralığında kullanıma uygun olup, maksimum 500mW güç tüketebilir. Düşük gate şarjı (4 nC) ile hızlı anahtarlama gerektiren devreler, SMPS (switch-mode power supply), DC-DC konvertörler ve düşük güçlü motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Parça durumu obsolete olup, stok kısıtlı olabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok