Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN360P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN360P
FDN360P Hakkında
FDN360P, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, düşük güçlü anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. Düşük kapasitans ve yüksek hızlı komütasyon özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 298 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok