Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN360P-NBGT003B
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN360P
FDN360P-NBGT003B Hakkında
FDN360P-NBGT003B, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 80mΩ maksimum on-resistance değeri (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketi içinde gelmektedir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, düşük güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmaktadır. 500mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara uygun bir çözümdür. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile güvenli çalışma ortamı sağlar. Part status: Obsolete - yeni tasarımlar için alternatif komponent seçilmesi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 298 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok