Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN359BN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN359BN
FDN359BN Hakkında
FDN359BN, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, küçük sinyal anahtarlama uygulamalarında ve düşük güç kontrol devrelerinde kullanılır. 46mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. SOT-23-3 (SUPERSOT3) paketinde sunulan FDN359BN, taşınabilir cihazlar, pil yönetim sistemleri, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok