Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN359AN

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN359AN

FDN359AN Hakkında

FDN359AN, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 2.7A sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. 46mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-3 (SuperSOT) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve düşük voltaj uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 2.7A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok