Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN358P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN358P
FDN358P Hakkında
FDN358P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 30V drain-source voltajında 1.5A sürekli akım sağlar. 125mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç özelliktedir. ±20V gate-source voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında stabil performans gösterir. 500mW güç tüketimi ile entegre devrelerin anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, sinyal kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Surface Mount teknolojisi ile SOT-23-3 paketinde sunulur ve yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SuperSOT-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok