Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN358P
MOSFET P-CH 30V 1.5A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN358P
FDN358P Hakkında
FDN358P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 1.5A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paketinde sunulur. 125mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, aydınlatma kontrol devreleri, batarya şarj kontrolü ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 500mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlarda yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 182 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok