Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN357N
FDN357N - SMALL SIGNAL FIELD-EFF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN357N
FDN357N Hakkında
FDN357N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamalar için tasarlanmış bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 1.9A sürekli drain akımı ile çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paket içinde sunulan transistör, 60mΩ (10V, 2.2A) çok düşük RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge 5.9nC ve input capacitance 235pF olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, maksimum 500mW güç tüketebilir. Voltaj amplifikatörleri, anahtar devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılan pratik bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.9 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 235 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok