Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN357N

MOSFET N-CH 30V 1.9A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN357N

FDN357N Hakkında

FDN357N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 1.9A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 60mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 500mW güç disipasyonu kapasitesine ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge değeri (5.9nC @ 5V) sayesinde anahtarlama hızı yüksektir. Genellikle düşük voltaj uygulamalarında, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, yük kontrolü ve sinyal anahtarlamada kullanılır. Kompakt Surface Mount paketlemesi, modern PCB tasarımlarına uygun ve yüksek yoğunluklu elektronik uygulamalarına idealdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok