Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN352AP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN352AP
FDN352AP Hakkında
FDN352AP, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal P-Channel MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli drenaj akımı ile çalışabilir. 180mOhm maksimum RDS(ON) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. ±25V gate gerilim toleransı ile geniş uygulama alanına sahiptir. Ses amplifikatörleri, anahtar devreleri, LED sürücüleri, güç yönetimi ve sinyal anahtarlaması uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (1.9nC) ve 150pF input kapasitansı hızlı anahtarlama özelliğini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok