Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN352AP
MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN352AP
FDN352AP Hakkında
FDN352AP, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 1.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate voltajında 180mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu transistör, 500mW güç dağılımına kapaklıdır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. Anahtarlama uygulamaları, düşük akım yükseltme devreleri, güç yönetimi ve hızlı switching gerektiren analog ve dijital devrelerde yaygın olarak kullanılır. 1.9nC gate yükü ve 150pF input kapasitansı ile hızlı komutasyon özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 1.3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok