Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN342P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN342P
FDN342P Hakkında
FDN342P, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim ve 2A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketinde sunulur. 80mΩ maksimum RDS(On) değeri ile -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 9nC ve input capacitance 635pF olup, düşük güç tüketim uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve analog anahtarlar gibi alanlarda tercih edilir. Maksimum güç harcaması 500mW'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 635 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok