Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN340P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
FDN340P

FDN340P Hakkında

FDN340P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 2A sürekli drain akımı kapasitesi ile çalışır. 4.5V gate geriliminde 70mΩ olan düşük on-state direnci (RdsOn), anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. 10nC gate charge ve 779pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. Die paket formatında sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW güç tüketim kapasitesine sahiptir. Ses amplifikasiyon, güç kontrolü, RF uygulamaları ve genel anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package Die
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok