Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN339AN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN339AN
FDN339AN Hakkında
FDN339AN, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Düşük sinyal uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan FDN339AN, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, lojik seviyeleri kontrol eden sürücü devreleri ve genel amaçlı elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar ve maksimum 500mW güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok