Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN339AN
FDN339AN_G Hakkında
FDN339AN_G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 35mOhm maksimum Rds(On) değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve sinyal kontrolü gerektiren elektronik cihazlarda tercih edilir. Surface mount SOT-23-3 paketlemesi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 500mW güç dağılımı kapasitesi ile portabıl cihazlarda, batarya yönetim sistemlerinde ve I/O kontrolü uygulamalarında kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok