Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN339AN

MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN339AN

FDN339AN Hakkında

FDN339AN, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi (Vdss) ile 3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 4.5V gate geriliminde 35mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir, maksimum 500mW güç tüketir. 10nC gate charge ve 700pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristikler sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok