Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN338P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN338P
FDN338P Hakkında
FDN338P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamaları için tasarlanmış bu transistör, 20V drain-source gerilimi, 1.6A sürekli drain akımı ve 115mΩ maksimum RDS(on) değeriyle çalışır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığına sahiptir. 4.5V drive voltajında minimum RDS(on) değerine ulaşan FDN338P, analog anahtarlama, ses sinyali işleme, enerji yönetimi ve düşük güç dijital mantık uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç tüketimiyle, batarya destekli ve taşınabilir cihazlarda tercih edilmektedir. ±8V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 451 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok