Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN335N

MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN335N

FDN335N Hakkında

FDN335N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source geriliminde 1.7A sürekli drain akımı sağlayabilen, düşük gate charge (5nC) ve düşük on-direnci (70mΩ) özelliklerine sahip bir yarı iletken bileşenidir. SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, LED sürücülerinde ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW güç disipasyon kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok