Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN327N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN327N
FDN327N Hakkında
FDN327N, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajında 2A sürekli drain akımı ve 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. 4.5V gate voltajında kullanıldığında 6.3nC gate şarjı ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. TO-236-3/SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, genel sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, logik seviyeleri kontrol eden devrelerde, düşük güç tüketimli anahtarlama uygulamalarında ve sinyal kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, maksimum 500mW güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 423 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok