Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN327N

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN327N

FDN327N Hakkında

FDN327N, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ile 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 70mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 500mW maksimum güç dağıtımı yapabilir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve kompakt paketi sayesinde taşınabilir cihazlar, AC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 423 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok