Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN308P
MOSFET P-CH 20V 1.5A SUPERSOT3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN308P
FDN308P Hakkında
FDN308P, onsemi tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 1.5A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 4.5V gate geriliminde 125mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-3 kompakt paketlemesiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi, yazılım kontrollü yükler ve batarya uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya dayanıklı tasarımı sayesinde geniş sıcaklık aralığındaki endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 341 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok