Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDN306P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDN306P
FDN306P Hakkında
FDN306P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Small signal uygulamaları için tasarlanmış olan bu bileşen, maksimum 12V drain-source gerilimi ve 2.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 40mOhm'luk düşük açık direnci (Rds On) ile verimli anahtar işlemi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreleri, mantık seviyeleri sürücüleri, güç yönetimi ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 paketinde sunulan FDN306P, kompakt tasarımlar için ideal bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1138 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok