Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDN302P

MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
FDN302P

FDN302P Hakkında

FDN302P, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 2.4A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 55mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıplar sağlar. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve genel sinyal değiştirme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 882 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok