Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMT80080DC

MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
FDMT80080DC

FDMT80080DC Hakkında

FDMT80080DC, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 36A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. 1.35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerVDFN (Cool88) paketinde sunulan bu komponentin gate drive gerilimi 8V-10V arasında ayarlanabilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve yüksek güç yayılma kapasitesi (156W @ Tc) sayesinde motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Ta), 254A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20720 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 36A, 10V
Supplier Device Package 8-Dual Cool™88
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok