Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMT800100DC

MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
FDMT800100DC

FDMT800100DC Hakkında

FDMT800100DC, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 24A (Ta) / 162A (Tc) sürekli dren akımına sahiptir. 8-PowerVDFN pakette sunulan transistör, düşük Rds(on) değeri (2.95mΩ @ 24A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V Gate-Source gerilimi kabiliyeti ile esnek tasarım olanağı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A (Ta), 162A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7835 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.95mOhm @ 24A, 10V
Supplier Device Package 8-Dual Cool™88
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok