Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8888

FDMS8888 Hakkında

FDMS8888, onsemi tarafından üretilen 30V N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN (5x6) paketinde sunulan bu transistör, 13.5A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 21A (Tc=25°C) kapasitesine sahiptir. 9.5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 33nC @ 10V olup hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Maximum drain-source voltajı 30V ve maksimum gate voltajı ±20V'tur. Lütfen onsemi tarafından sağlanan datasheet'i inceleyerek tasarım parametrelerini doğrulayınız.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok