Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8888

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8888

FDMS8888 Hakkında

FDMS8888, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 13.5A (Ta) / 21A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (9.5mOhm @ 10V) ile yüksek verimlilik sağlar. 8-pin PowerTDFN (5x6mm) kasa türü ile surface mount uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde otomotiv, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 33nC gate charge ve 1585pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiğine uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok