Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8880

MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8880

FDMS8880 Hakkında

FDMS8880, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ile 13.5A (Ta) veya 21A (Tc) sürekli dren akımını destekler. 8-PowerTDFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 8.5mOhm on-resistance değeri ile enerji uygulamalarında verimli çalışır. ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. DC-DC konvertörleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 33nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri barındırır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13.5A (Ta), 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1585 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok