Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8880
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8880
FDMS8880 Hakkında
FDMS8880, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi, 13.5A sürekli dren akımı (25°C'de) ve 21A maksimum akım kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 8.5mΩ düşük on-direnç değeri ve 42W güç yayınlama kapasitesi ile verimli anahtarlama işlemleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-PQFN (5x6) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.5A (Ta), 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok