Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8672S

MOSFET N-CH 30V 17A/35A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8672

FDMS8672S Hakkında

FDMS8672S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 17A sürekli akım (Ta) veya 35A (Tc) kapasitesine sahiptir. 8-Pin PowerTDFN paketinde sunulan bu FET, 5mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. ±20V Vgs giriş gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir işlem gerçekleştirir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve güç dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta), 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2515 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok