Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8672AS

MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8672AS

FDMS8672AS Hakkında

FDMS8672AS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 18A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 5mΩ maksimum Rds(On) değerine sahiptir. Surface Mount 8-PQFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 40nC @ 10V olup hızlı anahtarlamaya uygun özellikler sunmaktadır. Not: Bu ürün obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 18A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok