Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8672AS
MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8672
FDMS8672AS Hakkında
FDMS8672AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 18A (Ta)/28A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 5mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 40nC gate charge özellikleriyle düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 70W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok