Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8670S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8670S
FDMS8670S Hakkında
FDMS8670S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance değeri (3.5mOhm @ 20A, 10V) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan FDMS8670S, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 78W güç dağıtımı kapasitesi (Tc) ile yüksek akım uygulamaları için uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ve 73nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama davranışı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok