Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMS8670AS

MOSFET N-CH 30V 23A/42A 8PQFN

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
FDMS8670AS

FDMS8670AS Hakkında

FDMS8670AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında çalışan bu komponent, 25°C'de 23A ve junction sıcaklığında 42A sürekli dren akımı sağlar. 8-pin PowerTDFN (5x6mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu FET, 3mΩ (10V, 23A'de) düşük Rds(on) değeriyle verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Voltaj regülatörleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3615 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 23A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok