Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8670
MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8670
FDMS8670 Hakkında
FDMS8670, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 24A (Ta) / 42A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PQFN (5x6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük direnç anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen FDMS8670, güç yönetimi, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. 63nC gate charge ve 3940pF input capacitance özellikleri ile hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketim elektronikleri uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 42A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3940 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 24A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok