Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS8660AS
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS8660AS
FDMS8660AS Hakkında
FDMS8660AS, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile 28A (Ta) veya 49A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PQFN (5x6) surface mount pakette sunulan bu FET, 2.1mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 83nC gate charge ve 5865pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygun tasarlanmıştır. Not: Bu parça obsolete (üretilmiyor) konumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Ta), 49A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5865 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 28A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok