Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86569-F085
MOSFET N-CH 60V 65A POWER56
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86569
FDMS86569-F085 Hakkında
FDMS86569-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 65A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.6mΩ (10V, 65A'da) maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerTDFN (5x6mm) paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile +175°C (junction) arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 100W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılabilir. Bileşen üretim hayatını tamamlamış durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2560 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 65A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok