Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMS86322
MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMS86322
FDMS86322 Hakkında
FDMS86322, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj aralığında çalışan bu bileşen, 13A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) veya 60A (Tc=25°C) kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-pin PowerTDFN paketinde sunulan FDMS86322, 10V gate voltajında 7.65mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. ±20V maksimum gate voltajı ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sunar. Yüksek güç yoğunluğunda uygulamalar, motor kontrol devrelerine, DC-DC konvertörlerine ve güç dağıtım sistemlerine uygundur. Düşük gate charge (55nC @ 10V) ve kompakt yüzey montaj tasarımı sayesinde verimli anahtarlama ve ısı yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta), 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.65mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok